Domanda:
In quale regione dovrebbe essere utilizzato un MOSFET come interruttore?
Rivon
2020-05-09 11:51:12 UTC
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Ho una domanda sul funzionamento di commutazione dei MOSFET.

Secondo un articolo:

Per far funzionare un MOSFET come interruttore, deve essere utilizzato in una regione di cut-off e lineare (o triodo).

Secondo un altro articolo:

Il MOSFET nella regione di saturazione è preferito per farlo funzionare come un interruttore.

Sono molto confuso circa la regione operativa del MOSFET da utilizzare come interruttore .

Sovrei azionare il MOSFET per "accendere" in una regione (lineare / ohmica / triodo) o di saturazione?

Il modo migliore per utilizzare un BJT o un FET come interruttore è sovraccaricare il terminale di controllo, qualunque cosa le persone scelgano di chiamare la regione operativa in cui finisce.
Sì.La parola "saturazione" quando viene utilizzata per transistor bipolari e di campo significa quasi esattamente l'opposto.Le persone li scambiano molto.
Cinque risposte:
Andy aka
2020-05-09 12:35:05 UTC
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Quando il tuo articolo dice questo (a torto): -

MOSFET nella regione di saturazione è preferibile per farlo funzionare come un interruttore.

È perché è scritto da qualcuno che pensa che il nome della sezione equivalente della caratteristica del BJT sia trasferibile al 100% ai MOSFET.

Per chiarire: -

  • Quando un MOSFET viene utilizzato come interruttore on, funziona nella regione triodo o ohmica
  • Quando un MOSFET viene utilizzato come interruttore off, funziona nella regione di cut-off
  • Quando un MOSFET viene utilizzato come dispositivo a corrente controllata, funziona nella regione di saturazione
  • "Saturazione" si riferisce al canale saturato

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  • Quando un BJT viene utilizzato come interruttore, funziona nella regione di saturazione e nelle regioni di cut-off
  • "Saturazione" nel caso di un BJT si riferisce alla saturazione della base in quanto entrambe le giunzioni PN o NP sono (in qualche modo) conduttive

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Devo azionare il MOSFET per "accenderlo" in un (lineare / ohmico / triodo) o Regione di saturazione?

Risposta: la regione lineare / ohmica / triodo

+1 perché la risposta è migliore di me;)
E ora stai vedendo articoli e guide scritti da persone che hanno imparato l'elettronica da una prospettiva CMOS e stanno usando la terminologia MOS per descrivere le regioni di un BJT, rendendolo solo più confuso.
Tutte le regioni di saturazione sono uguali ma alcune sono più uguali di altre (citazione errata di George Orwell).
Non avevo mai notato che questa terminologia fosse usata in modo diverso per BJT e FET.Avrei fatto lo stesso errore di dire che un FET acceso era saturo.Non mi piace quando le parole dipendono dal contesto, correggi sempre le persone che le usano male.Forse descriverò semplicemente la regione VCE bassa o VDS bassa come dura e correrò il rischio che venga letta nel contesto.
@Neil_UK Sono abbastanza sicuro che il termine "duro" potrebbe sollevare una strana risata.
E vedete "saturazione" usata in un terzo senso incompatibile come la corrente termica attraverso una giunzione a diodi polarizzati inversamente.Scala la corrente diretta.Questo si presenta nei modelli di BJT e MOSFET perché entrambi contengono diodi.
Jess
2020-05-09 12:24:44 UTC
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Se si desidera utilizzare un MOSFET come interruttore, probabilmente si desidera avere un basso V DS , poiché un interruttore ideale non ha cadute di tensione tra i terminali, ma può avere una corrente infinita attraversoit.

Quindi, secondo le curve caratteristiche di un MOSFET, devi operare nella regione lineare.Come puoi vedere, se hai bisogno di 10 A (supponendo che la scala sia in ampere), la V DS sarà inferiore se aumenti V GS .

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La tua confusione potrebbe derivare dal fatto che per un transitor bipolare, il nome delle diverse regioni non è lo stesso:

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Quindi, se usi un transistor bipolare come interruttore, dovresti usarlo nella regione di saturazione.

arsalan ghasemian
2020-05-09 12:23:28 UTC
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Un transistor MOSFET può essere utilizzato come interruttore on sia nella regione del triodo che in quella di saturazione, ma ci offre diversi vantaggi.

In saturazione si può ottenere una corrente più alta, ma nel triodo, a causa della sua minore resistenza, si possono ottenere perdite inferiori.

Normalmente nella progettazione di circuiti digitali, la regione del triodo è più comune.

Non è possibile ottenere molta più corrente di scarico in saturazione.Potresti invece avere una fuga termica.È BJT che può essere utilizzato come interruttore saturo o meno con diversi vantaggi (perdita di potenza vs tempo di commutazione).
Caro Fraxinus, come ho detto normalmente viene utilizzata la regione del triodo, ma nel caso in cui si desideri utilizzare l'interruttore MOSFET per pilotare qualcosa a volte viene utilizzata la regione di saturazione.
Vishy Nathan
2020-05-11 08:24:54 UTC
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Che si tratti di mosfet, fet o bipolare, per cambiare scopo, è solo in una definizione: è in saturazione o interrotto. La saturazione è la tensione minima sul dispositivo e la corrente massima. In stato di interruzione o apertura, tutta la tensione ai capi del dispositivo, ma corrente trascurabile. In questa modalità di commutazione, in entrambi i casi precedenti, la dissipazione nel dispositivo è minima e la potenza massima è controllata. Per garantire la saturazione, potrebbe essere necessario eseguire l'overdrive, entro i limiti, e un under-drive simile, o anche guidare negativamente i dispositivi per garantire il taglio completo. Segui le schede tecniche e non esagerare. L'unica volta che questi dispositivi vengono utilizzati nella regione attiva, o regione più piccola, è negli amplificatori (nemmeno tutti).

Portare la "modalità triodo" a questo non ha senso. Per non parlare, chi ha detto che i triodi non hanno cutoff e saturazione? È vantaggioso utilizzare "inglese" a volte quando si desidera descrivere l'immagine fisica, ma non esistono lingue CMOS, lingue triodi ecc. Il buon senso non dipende dalla lingua. L'ingegneria non preclude il buon senso.

analogsystemsrf
2020-05-09 11:58:55 UTC
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Data una coppia differenziale FET, è possibile utilizzare quella coppia differenziale come un fine interruttore di governo della corrente, tuttavia entrambi i transistor saranno in modalità di saturazione FET.

Prima che arrivassero i transistor FET sub-micron, il metodo di governo della corrente era utilizzato nelle tecnologie bipolari (logica accoppiata con emettitore o DACS con governo di corrente).Evitare l'accumulo di carica nei transistor bipolari, se azionato in giunzione collettore base polarizzata in avanti, era la mentalità.

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Se stai cambiando le correnti, la coppia differenziale FET potrebbe funzionare bene.

Una volta ho comunicato attraverso i confini su un chip, desiderando un isolamento estremo in modo da ottenere eccellenti prestazioni spurie, utilizzando piccole correnti differenziali (ho rubato l'idea a qualcun altro).

In realtà, voglio usare Mosfet come interruttore, non come amplificatore.Per favore, spiegami la migliore regione operativa da utilizzare per accendere Msofet.
Cos'è "DACS" (in questo contesto)?Non [DAC] (https://en.wikipedia.org/wiki/Digital-to-analog_converter)?


Questa domanda e risposta è stata tradotta automaticamente dalla lingua inglese. Il contenuto originale è disponibile su stackexchange, che ringraziamo per la licenza cc by-sa 4.0 con cui è distribuito.
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